目前市場(chǎng)上大家對(duì)可控硅投切開(kāi)關(guān)（也稱(chēng)晶閘管投切開(kāi)關(guān)）的第一印象就是價(jià)格高，發(fā)熱大，功耗高，那跟復(fù)合開(kāi)關(guān)相比還有哪些優(yōu)點(diǎn)存在呢？

　　我們先來(lái)看看各自的特點(diǎn)：

　　一、 可控硅投切開(kāi)關(guān)特點(diǎn)

　　一般用于TSC技術(shù)的低壓動(dòng)態(tài)補(bǔ)償用的可控硅都采用大功率晶閘管反并聯(lián)封裝，其額定電流可達(dá)數(shù)百安培以上，反向耐壓可達(dá)1800v以上。由于其具有電力電子器件的特性，因此在通過(guò)檢測(cè)電壓過(guò)零點(diǎn)時(shí)給可控硅觸發(fā)信號(hào)實(shí)現(xiàn)無(wú)觸點(diǎn)、無(wú)涌流投切，并且響應(yīng)時(shí)間快，在20ms之內(nèi)，即半個(gè)波形周期內(nèi)就能實(shí)現(xiàn)觸發(fā)導(dǎo)通。

　　由于可控硅屬半導(dǎo)體器件，通態(tài)電流比較大時(shí)，會(huì)有一定的發(fā)熱。但現(xiàn)在配電房環(huán)境越來(lái)越好，很多都配備了空調(diào)，且現(xiàn)在電容器大部分都加了串聯(lián)電抗器，溫升問(wèn)題已經(jīng)被統(tǒng)一對(duì)待處理。特別適用于需要頻繁投切的重要配電場(chǎng)合。而且現(xiàn)在很多地區(qū)在大力推廣混合補(bǔ)償，更給了可控硅投切開(kāi)關(guān)新的用武之地。

　　二、 復(fù)合開(kāi)關(guān)特點(diǎn)

　　復(fù)合開(kāi)關(guān)又叫機(jī)電一體化開(kāi)關(guān)，是由交流接觸器和可控硅相并聯(lián)封裝而成。其導(dǎo)通利用可控硅實(shí)現(xiàn)無(wú)涌流投切，投切完成后再將交流接觸器主回路閉合，并退出可控硅。這一優(yōu)點(diǎn)是運(yùn)行時(shí)發(fā)熱相對(duì)于可控硅稍小一些。

　　復(fù)合開(kāi)關(guān)因交流接觸器與可控硅的相互制約導(dǎo)致無(wú)法實(shí)現(xiàn)較大的通態(tài)電流，反向耐壓只能達(dá)到1600v并且投切過(guò)程復(fù)雜，可控硅開(kāi)斷頻繁，容易被擊穿，造成故障率較高，一般用于不需要頻繁投切的非重要配電場(chǎng)合。

　　三、兩者應(yīng)用的差異分析

　　首先從運(yùn)行維護(hù)上考慮，通常用三只單相的可控硅固定在鋁合金強(qiáng)制風(fēng)冷散熱模塊上，后期維護(hù)方便，如出現(xiàn)某只可控硅損壞可快速更換，其他可控硅可繼續(xù)使用。由于復(fù)合開(kāi)關(guān)采用交流接觸器與可控硅小形三端封裝，如內(nèi)部任意部件出現(xiàn)故障，只能將整體更換，且故障率要高于可控硅投切開(kāi)關(guān)，后期綜合維護(hù)費(fèi)用高。