一、可控硅電源開關(guān)特性一般用以TSC技術(shù)性的底壓動態(tài)補償用的可控硅電源開關(guān)都選用功率大的可控硅反串聯(lián)封裝，其額定電壓達到百余安培，反方向抗壓達到1800v之上。因為其具備電力工程電子元器件的特點，因而在根據(jù)檢驗工作電壓過零點時給可控硅開啟數(shù)據(jù)信號保持無觸點、無涌流投切，而且響應(yīng)速度快，在一個半波型周期時間內(nèi)就能保持開啟通斷。因為可控硅屬集成電路工藝，通態(tài)電流量較為大時，也有一定的發(fā)燙。二、復(fù)合開關(guān)

低壓無功補償柜是用以補償理性負載所必須的無功輸出功率的設(shè)備。該設(shè)備針對提升系統(tǒng)軟件的功率因素，改進電能質(zhì)量，增加電力工程使用期，降低電力網(wǎng)傳送耗損，抑止工作電壓起伏具備關(guān)鍵功效。提升了系統(tǒng)軟件的功率因素，降低了路線中的無功電流量，充足回應(yīng)了國家節(jié)能環(huán)保的呼吁;另外協(xié)助客戶解決了用電量處罰的憂慮。一、低壓電容補償柜的優(yōu)點特性1.控制器選用瞬間無功優(yōu)化算法，響應(yīng)時間8ms，能夠 手動式/自動控制系統(tǒng)；

在電容器切除后再次投入時，若晶閘管投切設(shè)備通斷（電容器連接電力網(wǎng)）時的電力網(wǎng)電壓與電容器殘壓相距很大，便會因為電容器上的電壓不可以突然變化，而造成挺大的電流量沖擊性（重合閘涌流），這一沖擊性很可能損壞晶閘管，或給電力網(wǎng)產(chǎn)生高頻率沖擊性。以便使電容器資金投入時不造成涌流沖擊性，務(wù)必抓準(zhǔn)晶閘管開啟的理想化時刻，即確保晶閘管通斷時電力網(wǎng)電壓與電容器殘壓尺寸相同、旋光性一致，這就需要事先測知電容器殘壓。晶